NVMFS5C673NLAFT1G-YE_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備65A的漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源電壓（VGS）額定值達20V。低導(dǎo)通電阻有助于在高電流工作時減少功率損耗與溫升，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制、電池管理系統(tǒng)及各類高效率開關(guān)電路中。其電氣參數(shù)組合使其在需要大電流承載能力和快速開關(guān)響應(yīng)的電子設(shè)備中具有良好的適用性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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