SPTA65R350E_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高性能計算設(shè)備中的功率管理模塊。其參數(shù)組合支持在緊湊空間內(nèi)實現(xiàn)可靠的電力控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
