NTMFS4C10NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為5.7毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗與溫升，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換及開關(guān)應(yīng)用。典型使用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)以及各類高密度功率模塊，能夠支持緊湊布局下的穩(wěn)定高效運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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