PJQ5410_R2_00001_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為30V，導(dǎo)通電阻為4.7毫歐，最大柵源電壓為20V。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率，適用于高電流密度的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池充放電控制及高頻開(kāi)關(guān)電路等場(chǎng)合。器件在保持良好熱穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)特性的同時(shí)，適合對(duì)空間和能效有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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