CSD18534Q5AT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、65A的連續漏極電流（ID）以及8mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源電壓（VGS）最高為20V。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于高電流開關應用，如電源轉換、電機控制及各類電子負載管理等場景，在高頻或持續大電流工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能。
