NVMFS5C450NWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有130A的連續(xù)漏極電流（ID）、40V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.8毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。適用于高電流、高頻率運(yùn)行的電源管理場(chǎng)景，例如多相穩(wěn)壓器、電池管理系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)、以及需要高效能與緊湊布局的電子設(shè)備中。在大電流負(fù)載條件下，器件仍能保持較低溫升，有利于優(yōu)化熱設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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