TK4A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:3.9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:1555mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）為3.9A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。其柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V，具備良好的開(kāi)關(guān)特性和熱穩(wěn)定性。由于采用碳化硅材料，器件在高頻工作條件下仍能保持較低的開(kāi)關(guān)損耗，適用于對(duì)效率和體積有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、適配器及可再生能源相關(guān)電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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