SVS65R380FD4_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場和優異熱導率，在高頻開關條件下仍能保持較低的功率損耗，適用于高效率電源轉換、數據中心供電系統、光伏逆變器及對體積與效率有嚴苛要求的電力電子設備。
