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DMT3006LFG-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:40A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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該N溝道MOSFET具有40A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))低至5毫歐。在高電流應用中,其極低的導通損耗有助于減少發熱并提升整體能效。適用于對功率密度和熱管理有較高要求的場合,如開關電源、便攜式設備的電源路徑控制以及高效電機驅動等電子系統,能夠支持穩定且高效的運行。

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