FDD044AN03L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備120A的連續(xù)漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻僅為3毫歐，在高電流應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通損耗。其低RDS(ON)特性有助于提升系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱，適用于大電流電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、電動工具驅(qū)動以及高頻同步整流等場合。器件在保持高可靠性的同時，支持高效能量傳輸與緊湊型電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
