TPD65R380D_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源耐壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高性能計(jì)算設(shè)備中的功率管理模塊。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動(dòng)兼容性，同時(shí)支持負(fù)壓關(guān)斷以增強(qiáng)抗干擾能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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