PJQ4408P-AU_R2_000A1_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有45A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在柵源電壓（VGS）為20V時可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定導(dǎo)通。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，適用于高效率電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器及大電流開關(guān)應(yīng)用。器件在高頻操作下仍能保持較低的溫升，適合對熱性能和空間布局有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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