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AOD492_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:ID:100A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:3.8mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管(MOSFET)具有100A的連續漏極電流(ID)、30V的漏源擊穿電壓(VDSS)以及3.8毫歐的導通電阻(RDS(ON))。低導通電阻有效降低導通損耗,在大電流工作條件下有助于控制溫升。適用于高效率開關電源、電池供電設備、電機驅動電路及高功率密度的電源模塊,能夠滿足對能效和熱管理有較高要求的應用場景。

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