IRFHM8326TRPBF-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至3.5毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高電流密度的電源管理、電池充放電控制及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。在高頻開關(guān)條件下，器件表現(xiàn)出良好的開關(guān)特性與熱穩(wěn)定性，適合用于對體積和散熱要求較高的緊湊型電子設(shè)備中，滿足高效能量轉(zhuǎn)換的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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