BSC080N03LSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備50A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及最大20V的柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高頻率開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)控制及各類需要高效能功率轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備。器件在典型驅(qū)動(dòng)條件下可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)，兼顧熱穩(wěn)定性和電氣可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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