BSC080N03MSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至6.5毫歐，在柵源電壓（VGS）達(dá)20V時(shí)可確保穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和熱性能要求較高的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)等應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)支持高電流承載能力，同時(shí)保持較低的功耗，適合需要緊湊布局與高效能轉(zhuǎn)換的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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