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NTMFS5C450NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:ID:130A 參數(shù)2:VDSS:40V 參數(shù)3:RDON:2.8mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具備130A的連續(xù)漏極電流(ID)和40V的漏源電壓(VDSS),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為2.8毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗,在高電流工作條件下仍能維持較高的能效水平。適用于對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的電源系統(tǒng),如服務(wù)器電源、通信設(shè)備供電模塊及高性能計(jì)算平臺(tái)中的同步整流與負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)合。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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