MCAC9D5N06YLHE3-TP_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有65A的連續(xù)漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電源系統(tǒng)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括高電流開(kāi)關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換模塊、電機(jī)控制電路及各類(lèi)高效能電子設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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