TSM085N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備45A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為6毫歐，柵源電壓（VGS）額定范圍達(dá)±20V。其低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，適用于高效率開關(guān)電源、電池供電設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類功率轉(zhuǎn)換電路。在高頻工作條件下，器件仍能保持良好的開關(guān)特性與熱性能，滿足對緊湊布局和高功率密度的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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