SIS448DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至4.7毫歐，在柵源電壓高達(dá)20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及開關(guān)轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，能夠在高頻操作中保持良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，適合用于緊湊型高效率電子系統(tǒng)中的功率控制與調(diào)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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