DMN3009SFG-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為3.5毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。其電氣特性適用于需要高效能開關(guān)操作的場合，例如電源轉(zhuǎn)換模塊、電池管理系統(tǒng)及各類高頻率開關(guān)電路。器件在導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)間的切換響應(yīng)迅速，適合對(duì)動(dòng)態(tài)性能和熱穩(wěn)定性有明確要求的應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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