MCU80N03A-TP_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其高電流處理能力與極低導通損耗特性，使其適用于高效率電源轉換、同步整流及大電流開關等應用場景。在高頻或高負載條件下，器件仍能維持較低溫升，有助于簡化熱管理設計，適合用于對功率密度和能效有較高要求的電子系統(tǒng)中。
