DMT3009LFVWQ-13-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為45A，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為6毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)20V。器件在高電流工作條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。其電氣參數(shù)組合使其適合用于開(kāi)關(guān)頻率較高的電路中，能夠有效支持負(fù)載切換與功率調(diào)節(jié)功能，滿足多種電子系統(tǒng)對(duì)可靠功率控制的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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