PJD55N03_L2_00001_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET支持80A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為5毫歐。其低RDS(ON)有助于在高電流工作條件下有效抑制導(dǎo)通損耗，提升能效表現(xiàn)。適用于對(duì)功率處理能力和熱穩(wěn)定性要求較高的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)電路等場(chǎng)合。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其在持續(xù)大電流或頻繁開關(guān)的應(yīng)用中保持良好的電氣性能和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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