IPD50R1K4CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET器件具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。其高耐壓特性適用于中等功率開關(guān)場景，能夠在較高電壓條件下穩(wěn)定工作，同時較低的導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效。該器件結(jié)構(gòu)適合用于電源管理、適配器、照明驅(qū)動及各類消費類電子設(shè)備中的開關(guān)與功率控制環(huán)節(jié)，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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