IRF8113TRPBF-1_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有18A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至5毫歐，在柵源電壓高達(dá)20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電池供電設(shè)備及各類高效開關(guān)電路中。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用場景，同時具備良好的線性區(qū)控制能力，便于在模擬或混合信號環(huán)境中實現(xiàn)精確調(diào)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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