NTMFS4C028NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:90A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備90A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）最高可達(dá)20V。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)電路及各類需要快速開關(guān)響應(yīng)的電子系統(tǒng)。其高電流承載能力與低阻特性使其在緊湊型高密度設(shè)計中具有良好的熱表現(xiàn)和電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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