STD60NF3LLT4-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，導通電阻為7毫歐，在常規驅動電壓下可實現高效導通。其電氣特性適合用于中等功率的電源管理、電池保護電路以及高頻開關應用。較低的導通電阻有助于控制溫升并提升系統能效，適用于對體積和熱性能有一定要求的電子設備中的功率開關或同步整流功能。
