NTTFS4C13NTAG-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有35A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為7.5毫歐。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減小導(dǎo)通損耗，在高頻率或大電流工作條件下仍能保持良好的熱性能。適用于電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路以及各類需要高效功率開(kāi)關(guān)功能的電子系統(tǒng)，能夠支持緊湊布局并提升整體能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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