AOD518_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備100A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為3.8毫歐。其極低的RDS(ON)有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適合用于高電流、高效率要求的電源管理場(chǎng)景。典型應(yīng)用包括服務(wù)器電源、高性能計(jì)算設(shè)備中的多相VRM模塊、電池管理系統(tǒng)以及大功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)合。器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍能保持良好的熱性能和穩(wěn)定性，有助于提升整體系統(tǒng)能效與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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