NVMFS5C450NWFT3G_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有40V的漏源擊穿電壓（VDSS）、130A的連續(xù)漏極電流（ID），以及2.8毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。適用于高電流開關(guān)電源、大功率DC-DC轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類對(duì)效率和熱性能要求較高的電子裝置，在高頻或持續(xù)大電流工作條件下仍可保持穩(wěn)定可靠的電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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