RJK5030DPD-02#J2_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續(xù)漏極電流（ID）為5A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件在柵極施加足夠正向電壓時(shí)導(dǎo)通，適用于中等功率的開關(guān)應(yīng)用。典型使用場(chǎng)景包括電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)、小型電機(jī)控制及各類電子設(shè)備中的功率開關(guān)電路，能夠滿足對(duì)電壓耐受與通態(tài)損耗的基本要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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