NVD4804NT4G-VF01_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道MOSFET具備120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為3毫歐。其低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。適用于高電流、高頻率工作的電源管理、同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及大功率開(kāi)關(guān)電路等場(chǎng)合。器件在保持低熱阻的同時(shí)，支持快速開(kāi)關(guān)操作，有助于實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的電源解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
