G120N03D3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有45A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至6毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)20V。其低RDS(ON)有效降低導(dǎo)通損耗，在大電流工作狀態(tài)下仍保持良好的熱性能。器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及同步整流等應(yīng)用，憑借穩(wěn)定的電氣特性和快速開關(guān)響應(yīng)，可在多種電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)可靠的功率控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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