UMWIRLML0030TR_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）額定漏極電流（ID）為5.8A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。器件在中等電流條件下具備良好的導通特性，適用于對體積和效率有一定要求的電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)及便攜式設(shè)備中的功率管理場景。其參數(shù)組合兼顧開關(guān)速度與導通損耗，在30V工作電壓范圍內(nèi)可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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