HMJ45N03S_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持40A的連續(xù)漏極電流（ID），在典型工作條件下導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。器件適用于對電流承載能力和熱性能有較高要求的電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換以及大功率負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合，在緊湊型電子系統(tǒng)中可實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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