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FDMC7672_F125_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:ID:60A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:4mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有60A的連續(xù)漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至4毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率,適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理場景。器件結(jié)構(gòu)支持高電流承載能力,在開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)及各類高效能電子設(shè)備中可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)控制功能。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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