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FDMS7682-NC_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN5X6-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:ID:80A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:4.7mR 參數(shù)4:VGS:20V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有80A的連續(xù)漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為4.7毫歐,柵源驅(qū)動(dòng)電壓(VGS)最高可達(dá)20V。其大電流承載能力與低導(dǎo)通損耗特性,使其適用于高效率開(kāi)關(guān)電源、電池供電設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類(lèi)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng),在高負(fù)載或高頻操作條件下仍能維持穩(wěn)定性能。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話(huà):18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014