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FDMS3016DC_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:ID:80A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:4.7mR 參數(shù)4:VGS:20V 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,在導(dǎo)通狀態(tài)下其導(dǎo)通電阻低至4.7毫歐,柵源驅(qū)動電壓最高可達20V。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了導(dǎo)通與開關(guān)性能,適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高電流開關(guān)場景。其低RDS(ON)有效降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)整體能效,同時支持高頻操作,便于在緊湊型電路布局中實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率控制。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014