SIRA18DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率，同時支持高電流通過能力。器件適用于對功率處理能力和開關(guān)性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類高效電子設(shè)備中的功率控制環(huán)節(jié)，在高頻開關(guān)操作中仍能維持良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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