IRLR7833TRRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗相結合，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換及開關應用場景。器件結構優(yōu)化了開關速度與導通特性，在高頻操作條件下仍能保持穩(wěn)定性能，適合用于各類高密度、高效率的電力電子系統(tǒng)中。
