MBR39AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SMAF 類別:肖特基二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:IF:3A 參數(shù)2:VR:100V 參數(shù)3:VF:0.85V 參數(shù)4:IR:300uA 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該肖特基二極管采用獨立式配置,具有3A的平均正向電流(IF)和100V的反向重復峰值電壓(VR)。其正向壓降(VF)典型值為0.85V,在導通狀態(tài)下功耗較低;反向漏電流(IR)為300μA,表現(xiàn)出良好的阻斷特性。器件可承受高達80A的正向浪涌電流(IFSM),適用于對效率和瞬態(tài)響應要求較高的電源整流、開關模式電源輸出級以及各類低壓高頻電路中,能夠有效提升系統(tǒng)能效并保障運行穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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