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AON7548_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:ID:35A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:7.5mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具備35A的連續(xù)漏極電流和30V的漏源擊穿電壓,導(dǎo)通電阻為7.5毫歐。在典型開關(guān)應(yīng)用中,其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗并提升能效。器件適用于對效率和熱管理有較高要求的電源管理系統(tǒng)、電池供電設(shè)備及各類高頻開關(guān)電路。由于其穩(wěn)定的電氣特性和較低的導(dǎo)通壓降,可在緊湊布局中實現(xiàn)可靠運(yùn)行,滿足多種電子裝置對高性能功率開關(guān)的需求。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014