IRLR8103VTRL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7毫歐，適用于大電流、高效率的開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)熱穩(wěn)定性。該器件可廣泛用于電源轉(zhuǎn)換模塊、電池充放電控制、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)電路以及對(duì)能效和緊湊布局有較高要求的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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