SPD30N03S2L10GBTMA1_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率，適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源拓撲結(jié)構(gòu)。在開關(guān)頻率較高的應(yīng)用中，該器件能夠維持良好的動態(tài)性能，適合用于高效率直流-直流轉(zhuǎn)換、電池供電系統(tǒng)及各類緊湊型電子設(shè)備中的功率控制環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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