SUD50N03-09P-E3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。在中等功率開關(guān)應(yīng)用中，其參數(shù)組合可有效平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)性能，適用于電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、電池供電設(shè)備以及各類需要高效能功率開關(guān)的電子系統(tǒng)。器件在持續(xù)大電流工作時(shí)仍能維持較低溫升，有助于提升整體系統(tǒng)穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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