SUD50N03-06AP-T4E3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。器件適用于高電流、低電壓應(yīng)用場景，如電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及高效開關(guān)電路等。其低阻抗特性有助于提升系統(tǒng)整體效率，并在高頻開關(guān)條件下維持良好的熱穩(wěn)定性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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