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NTTFS4945NTWG_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:ID:45A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:6mR 參數(shù)4:VGS:20V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有45A的連續(xù)漏極電流(ID)、30V的漏源擊穿電壓(VDSS)、6毫歐的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),以及最大20V的柵源驅(qū)動(dòng)電壓(VGS)。其低導(dǎo)通電阻有助于在高電流應(yīng)用中減少功率損耗和發(fā)熱,適用于開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類高效能電子設(shè)備中的功率開關(guān)電路。器件在典型驅(qū)動(dòng)條件下可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的導(dǎo)通與關(guān)斷性能。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014