DMN3032L-13-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為5.8A，最大漏源電壓為30V，導通電阻為22毫歐。其參數(shù)組合適用于中等功率應用場景，在保證一定電流承載能力的同時，兼顧開關效率與功耗控制。器件適合用于電源管理模塊、負載開關、便攜設備供電系統(tǒng)以及對空間和熱耗有約束的電子裝置中，能夠支持穩(wěn)定可靠的開關操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
