DMN3023L-7-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET的漏源電壓（VDSS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）達5.8A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。器件在低電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗，適用于對效率和熱性能有一定要求的電路。典型應(yīng)用場景包括電源開關(guān)、電池保護、DC-DC轉(zhuǎn)換器及各類消費電子產(chǎn)品中的功率控制模塊，其電氣特性有助于維持系統(tǒng)穩(wěn)定運行并優(yōu)化能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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